Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | BSZ0500NSIATMA1 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 30A 8SON |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-PowerTDFN |
Vgs (th) (Max) : ID | 2V @ 250µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 2.1W (Ta), 69W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | PG-TSDSON-8-FL |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 52nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 3400pF @ 15V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 30A (Ta), 40A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.79 | $0.77 | $0.76 |