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IPB70P04P409ATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPB70P04P409ATMA1
Descrizione: MOSFET N-CH TO263-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 120µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 9.1mOhm @ 70A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 75W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore D²PAK (TO-263AB)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 70nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 40V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 4810pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 72A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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