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BSZ014NE2LS5IFATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: BSZ014NE2LS5IFATMA1
Descrizione: MOSFET N-CH 25V 31A 8TSDSON
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±16V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN
Vgs (th) (Max) : ID 2V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 1.45mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TSDSON-8-FL
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 33nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2300pF @ 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) 31A (Ta), 40A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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