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RN2902FE,LF(CT

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: RN2902FE,LF(CT
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W ES6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Active
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 10kOhms
Frequenza - Transizione 200MHz
Pacchetto dispositivi fornitore ES6
Resistor - Base emettitore (R2) 10kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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