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RN1901,LF(CT

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: RN1901,LF(CT
Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Potenza - Max 200mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo di transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 4.7kOhms
Frequenza - Transizione 250MHz
Pacchetto dispositivi fornitore US6
Resistor - Base emettitore (R2) 1kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 100nA (ICBO)
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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