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2SC2383-Y,T6KEHF(M

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Scheda tecnica: 2SC2383-Y,T6KEHF(M
Descrizione: TRANS NPN 1A 160V TO226-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Imballaggio Bulk
Stato della parte Obsolete
Potenza - Max 900mW
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo di transistor NPN
Temperatura 150°C (TJ)
Frequenza - Transizione 100MHz
Pacchetto dispositivi fornitore TO-92MOD
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 1.5V @ 50mA, 500mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 1A
Corrente - Taglio Collettore (Max) 1µA (ICBO)
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 60 @ 200mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 160V

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