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2SC2235-Y,T6USNF(M

Produttori:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto:	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Scheda tecnica:	2SC2235-Y,T6USNF(M
Descrizione:	TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto	Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie	-
Imballaggio	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Potenza - Max	900mW
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / Custodia	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tipo di transistor	NPN
Temperatura	150°C (TJ)
Frequenza - Transizione	120MHz
Pacchetto dispositivi fornitore	TO-92MOD
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic	1V @ 50mA, 500mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max)	800mA
Corrente - Taglio Collettore (Max)	100nA (ICBO)
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce	80 @ 100mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max)	120V