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STGW8M120DF3

Produttori: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Single
Scheda tecnica: STGW8M120DF3
Descrizione: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore STMicroelectronics
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Single
Serie M
Tipo IGBT Trench Field Stop
Tipo di ingresso Standard
Carica del cancello 32nC
Stato della parte Active
Potenza - Max 167W
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Condizione di test 600V, 8A, 33Ohm, 15V
Numero parte base STGW80
Commutazione dell'energia 390µJ (on), 370µJ (Off)
Td (attivato/disattivato) 20ns/126ns
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247-3
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2.3V @ 15V, 8A
Tempo di recupero inverso (trr) 103ns
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 16A
Corrente - Collettore pulsato (Icm) 32A
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 1200V

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Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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