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STGB4M65DF2

Produttori: STMicroelectronics
Categoria di prodotto: Transistors - IGBTs - Single
Scheda tecnica: STGB4M65DF2
Descrizione: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore STMicroelectronics
Categoria di prodotto Transistors - IGBTs - Single
Serie M
Tipo IGBT Trench Field Stop
Imballaggio Digi-Reel®
Tipo di ingresso Standard
Carica del cancello 15.2nC
Stato della parte Active
Potenza - Max 68W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Condizione di test 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Numero parte base STGB4
Commutazione dell'energia 40µJ (on), 136µJ (off)
Td (attivato/disattivato) 12ns/86ns
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacchetto dispositivi fornitore D2PAK
Vce(on) (Max) : Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Tempo di recupero inverso (trr) 133ns
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 8A
Corrente - Collettore pulsato (Icm) 16A
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 650V

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