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NSVTB60BDW1T1G

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: NSVTB60BDW1T1G
Descrizione: TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Active
Potenza - Max 250mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Resistor - Base (R1) 22kOhms
Frequenza - Transizione -
Pacchetto dispositivi fornitore SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base emettitore (R2) 47kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 150mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

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