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UMF8NTR

Produttori: ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: UMF8NTR
Descrizione: TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W UMT6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ROHM Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Stato della parte Not For New Designs
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tipo di transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Frequenza - Transizione 250MHz
Pacchetto dispositivi fornitore UMT6
Resistor - Base emettitore (R2) 47kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 500nA
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V, 15V

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