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IRFW630BTM-FP001

Produttori: ON Semiconductor
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IRFW630BTM-FP001
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore ON Semiconductor
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Not For New Designs
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 3.13W (Ta), 72W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore D²PAK (TO-263AB)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 29nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 200V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 720pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 9A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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