Produttori: | ON Semiconductor |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | IRFW630BTM-FP001 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | ON Semiconductor |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Not For New Designs |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 250µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 400mOhm @ 4.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 3.13W (Ta), 72W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 29nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 200V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 720pF @ 25V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 9A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.58 | $0.57 | $0.56 |