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EPC2051ENGRT

Produttori: EPC
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: EPC2051ENGRT
Descrizione: GANFET TRANS 100V DIE CU PILLAR
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore EPC
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie eGaN®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) +6V, -4V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia Die
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 1.5mA
Temperatura -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 25mOhm @ 3A, 5V
Dissipazione di potenza (Max) -
Pacchetto dispositivi fornitore Die
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 2.3nC @ 5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 280pF @ 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) 1.7A
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V

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