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SPD04P10PGBTMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SPD04P10PGBTMA1
Descrizione: MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SIPMOS®
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 380µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 1Ohm @ 2.8A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 38W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO252-3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 12nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 319pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 4A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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