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IPD60R2K0C6ATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPD60R2K0C6ATMA1
Descrizione: MOSFET N-CH 600V TO252
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™ C6
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Not For New Designs
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 3.5V @ 60µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 2Ohm @ 760mA, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 22.3W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-252-3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 6.7nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 140pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 2.4A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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