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IPD30N06S2L23ATMA1

Produttori: Infineon Technologies
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: IPD30N06S2L23ATMA1
Descrizione: MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Infineon Technologies
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie OptiMOS™
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 2V @ 50µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 23mOhm @ 22A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 100W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PG-TO252-3
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 42nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 55V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1091pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 30A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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