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GA03JT12-247

Produttori:	GeneSiC Semiconductor
Categoria di prodotto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica:	GA03JT12-247
Descrizione:	TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	GeneSiC Semiconductor
Categoria di prodotto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	-
Tipo FET	-
Imballaggio	Tube
Vgs (Max)	-
Tecnologia	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Caratteristica FET	-
Stato della parte	Obsolete
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / Custodia	TO-247-3
Vgs (th) (Max) : ID	-
Temperatura	175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs	460mOhm @ 3A
Dissipazione di potenza (Max)	15W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore	TO-247AB
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss)	1200V
Corrente - Scarico continuo (Id)	3A (Tc) (95°C)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	-