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BSO215C
| Produttori: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Scheda tecnica: | BSO215C |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Infineon Technologies |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Stato della parte | Obsolete |
| Potenza - Max | 2W |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs (th) (Max) : ID | 2V @ 10µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 100mOhm @ 3.7A, 10V |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 8-SO |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 11.5nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 246pF @ 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 3.7A |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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