Produttori: | Infineon Technologies |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Scheda tecnica: | BSO207PNTMA1 |
Descrizione: | MOSFET 2P-CH 20V 5.7A 8SOIC |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Infineon Technologies |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | OptiMOS™ |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Stato della parte | Obsolete |
Potenza - Max | 2W |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Numero parte base | BSO207 |
Vgs (th) (Max) : ID | 1.2V @ 40µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 45mOhm @ 5.7A, 4.5V |
Pacchetto dispositivi fornitore | P-DSO-8 |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 23.4nC @ 4.5V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 1013pF @ 15V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 5.7A |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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