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SUG90090E-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SUG90090E-GE3
Descrizione: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie ThunderFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 9.5mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 395W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247AC
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 129nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 200V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 5220pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 100A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7.5V, 10V

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