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SQJ962EP-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: SQJ962EP-T1-GE3
Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Stato della parte Obsolete
Potenza - Max 25W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 60mOhm @ 4.3A, 10V
Pacchetto dispositivi fornitore PowerPAK® SO-8 Dual
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 14nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 60V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 475pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 8A

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