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SQJ570EP-T1_GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: SQJ570EP-T1_GE3
Descrizione: MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tipo FET N and P-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Caratteristica FET Standard
Stato della parte Active
Potenza - Max 27W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs (th) (Max) : ID 2.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V
Pacchetto dispositivi fornitore PowerPAK® SO-8 Dual
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 15A (Tc), 9.5A (Tc)

In magazzino 140 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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