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SISA16DN-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SISA16DN-T1-GE3
Descrizione: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8
Numero parte base SISA16
Vgs (th) (Max) : ID 2.3V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 6.8mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) -
Pacchetto dispositivi fornitore PowerPAK® 1212-8
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 47nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2060pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 16A (Ta)

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