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SIS698DN-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SIS698DN-T1-GE3
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8
Vgs (th) (Max) : ID 3.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 195mOhm @ 2.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 19.8W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PowerPAK® 1212-8
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 8nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 100V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 210pF @ 50V
Corrente - Scarico continuo (Id) 6.9A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

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