Produttori: | Vishay / Siliconix |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | SIS698DN-T1-GE3 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8 |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 |
Vgs (th) (Max) : ID | 3.5V @ 250µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 195mOhm @ 2.5A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 19.8W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | PowerPAK® 1212-8 |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 8nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 100V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 210pF @ 50V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 6.9A (Tc) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.29 | $0.28 | $0.28 |