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SIR878BDP-T1-RE3
| Produttori: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | SIR878BDP-T1-RE3 |
| Descrizione: | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Vishay / Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® SO-8 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 3.4V @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 14.4mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 5W (Ta), 62.5W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | PowerPAK® SO-8 |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 38nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 100V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 1850pF @ 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 12A (Ta), 42.5A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
In magazzino 5676 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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