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SIR872DP-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SIR872DP-T1-GE3
Descrizione: MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8
Vgs (th) (Max) : ID 3.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 18mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PowerPAK® SO-8
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 64nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 150V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 2130pF @ 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) 53.7A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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