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SIHW33N60E-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SIHW33N60E-GE3
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AD
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-3P-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 278W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247AD
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 150nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 3508pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 33A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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