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SIHD7N60ET5-GE3
| Produttori: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | SIHD7N60ET5-GE3 |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 7A TO252AA |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Vishay / Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | E |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 4V @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 600mOhm @ 3.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 78W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | TO-252AA |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 40nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 600V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 680pF @ 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 7A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.77 | $0.75 | $0.74 |
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