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SIHB30N60AEL-GE3

Produttori:	Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica:	SIHB30N60AEL-GE3
Descrizione:	MOSFET N-CHAN 600V D2PAK
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	EL
Tipo FET	N-Channel
Imballaggio	Cut Tape (CT)
Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET	-
Stato della parte	Active
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / Custodia	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (th) (Max) : ID	4V @ 250µA
Temperatura	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs	120mOhm @ 15A, 10V
Dissipazione di potenza (Max)	250W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore	TO-263 (D²Pak)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs	120nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss)	600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max)	2565pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id)	28A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V