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SI8810EDB-T2-E1

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SI8810EDB-T2-E1
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 4-XFBGA
Vgs (th) (Max) : ID 900mV @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 72mOhm @ 1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (Max) 500mW (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore 4-Microfoot
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 8nC @ 8V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 245pF @ 10V
Corrente - Scarico continuo (Id) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V

In magazzino 5869 pcs

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