Produttori: | Vishay / Siliconix |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | SI8810EDB-T2-E1 |
Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Digi-Reel® |
Vgs (Max) | ±8V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 4-XFBGA |
Vgs (th) (Max) : ID | 900mV @ 250µA |
Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 72mOhm @ 1A, 4.5V |
Dissipazione di potenza (Max) | 500mW (Ta) |
Pacchetto dispositivi fornitore | 4-Microfoot |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 8nC @ 8V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 245pF @ 10V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | - |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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