L'immagine è solo di riferimento , vedere Specifiche del prodotto
SI5902BDC-T1-E3
| Produttori: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Scheda tecnica: | SI5902BDC-T1-E3 |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Vishay / Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Stato della parte | Active |
| Potenza - Max | 3.12W |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Vgs (th) (Max) : ID | 3V @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 65mOhm @ 3.1A, 10V |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 7nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 220pF @ 15V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 4A (Tc) |
In magazzino 1835 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Richiedi preventivo
Compila il modulo qui sotto e ti contatteremo il prima possibile
Trovati negoziali
