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SI4532CDY-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: SI4532CDY-T1-GE3
Descrizione: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET N and P-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Caratteristica FET Standard
Stato della parte Active
Potenza - Max 2.78W
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numero parte base SI4532
Vgs (th) (Max) : ID 3V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
Pacchetto dispositivi fornitore 8-SO
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 9nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 305pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 6A, 4.3A

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