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SI2351DS-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SI2351DS-T1-GE3
Descrizione: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Obsolete
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) : ID 1.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Dissipazione di potenza (Max) 1W (Ta), 2.1W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 5.1nC @ 5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 250pF @ 10V
Corrente - Scarico continuo (Id) 2.8A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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