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SI2325DS-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SI2325DS-T1-GE3
Descrizione: MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT-23
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) : ID 4.5V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 750mW (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 12nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 150V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 510pF @ 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) 530mA (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V

In magazzino 42754 pcs

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