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SI2314EDS-T1-GE3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SI2314EDS-T1-GE3
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±12V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) : ID 950mV @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 33mOhm @ 5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (Max) 750mW (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 14nC @ 4.5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) 3.77A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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