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SI2312BDS-T1-E3
| Produttori: | Vishay / Siliconix |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | SI2312BDS-T1-E3 |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Vishay / Siliconix |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 850mV @ 250µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 31mOhm @ 5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 750mW (Ta) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | SOT-23-3 (TO-236) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 3.9A (Ta) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
In magazzino 115901 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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