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SI2306BDS-T1-E3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SI2306BDS-T1-E3
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (th) (Max) : ID 3V @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 47mOhm @ 3.5A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 750mW (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 4.5nC @ 5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 305pF @ 15V
Corrente - Scarico continuo (Id) 3.16A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

In magazzino 8329 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Trovati negoziali

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