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SI1913EDH-T1-E3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Scheda tecnica: SI1913EDH-T1-E3
Descrizione: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC70-6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie TrenchFET®
Tipo FET 2 P-Channel (Dual)
Imballaggio Cut Tape (CT)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Stato della parte Obsolete
Potenza - Max 570mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero parte base SI1913
Vgs (th) (Max) : ID 450mV @ 100µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 490mOhm @ 880mA, 4.5V
Pacchetto dispositivi fornitore SC-70-6 (SOT-363)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 1.8nC @ 4.5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) -
Corrente - Scarico continuo (Id) 880mA

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