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SI1065X-T1-E3

Produttori: Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: SI1065X-T1-E3
Descrizione: MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchFET®
Tipo FET P-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Obsolete
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Vgs (th) (Max) : ID 950mV @ 250µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 156mOhm @ 1.18A, 4.5V
Dissipazione di potenza (Max) 236mW (Ta)
Pacchetto dispositivi fornitore SC-89-6
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 10.8nC @ 5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 480pF @ 6V
Corrente - Scarico continuo (Id) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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