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TPH3208LD
| Produttori: | Transphorm |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | TPH3208LD |
| Descrizione: | GANFET N-CH 650V 20A PQFN |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Transphorm |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Imballaggio | Tube |
| Vgs (Max) | ±18V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 4-PowerDFN |
| Vgs (th) (Max) : ID | 2.6V @ 300µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 96W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 4-PQFN (8x8) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 14nC @ 8V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 650V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 760pF @ 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 20A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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