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TPH3206LDB

Produttori: Transphorm
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: TPH3206LDB
Descrizione: GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Transphorm
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±18V
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Caratteristica FET -
Stato della parte Obsolete
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 4-PowerDFN
Vgs (th) (Max) : ID 2.6V @ 500µA
Temperatura -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 180mOhm @ 10A, 8V
Dissipazione di potenza (Max) 81W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore PQFN (8x8)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 6.2nC @ 4.5V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 650V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 720pF @ 480V
Corrente - Scarico continuo (Id) 16A (Tc)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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