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TP65H070LSG
| Produttori: | Transphorm |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | TP65H070LSG |
| Descrizione: | 650 V 25 A GAN FET |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Transphorm |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TP65H070L |
| Tipo FET | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 3-PowerDFN |
| Vgs (th) (Max) : ID | 4.8V @ 700µA |
| Temperatura | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 96W (Tc) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | 3-PQFN (8x8) |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 9.3nC @ 10V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 650V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 600pF @ 400V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 25A (Tc) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
In magazzino 290 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $11.80 | $11.56 | $11.33 |
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