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TPH2010FNH,L1Q

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: TPH2010FNH,L1Q
Descrizione: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie U-MOSVIII-H
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Cut Tape (CT)
Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN
Vgs (th) (Max) : ID 4V @ 200µA
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 198mOhm @ 2.8A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 1.6W (Ta), 42W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore 8-SOP Advance (5x5)
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 7nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 250V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 600pF @ 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) 5.6A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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