Produttori: | Toshiba Semiconductor and Storage |
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Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Scheda tecnica: | TK7A65W,S5X |
Descrizione: | MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS |
Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
Attributo | Valore attributo |
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Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DTMOSIV |
Tipo FET | N-Channel |
Imballaggio | Tube |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Caratteristica FET | - |
Stato della parte | Active |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / Custodia | TO-220-3 Full Pack |
Vgs (th) (Max) : ID | 3.5V @ 250µA |
Temperatura | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) - ID, Vgs | 780mOhm @ 3.4A, 10V |
Dissipazione di potenza (Max) | 30W (Tc) |
Pacchetto dispositivi fornitore | TO-220SIS |
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 15nC @ 10V |
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 650V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 490pF @ 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) | 6.8A (Ta) |
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.34 | $1.31 | $1.29 |