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TK6P60W,RVQ

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: TK6P60W,RVQ
Descrizione: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Digi-Reel®
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET Super Junction
Stato della parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (th) (Max) : ID 3.7V @ 310µA
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 820mOhm @ 3.1A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 60W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore DPAK
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 12nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 390pF @ 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) 6.2A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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