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TK39A60W,S4VX

Produttori:	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica:	TK39A60W,S4VX
Descrizione:	MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3
Stato RoHS:	Compatibile con RoHS

Attributo	Valore attributo
Produttore	Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie	DTMOSIV
Tipo FET	N-Channel
Imballaggio	Tube
Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET	-
Stato della parte	Active
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / Custodia	TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (Max) : ID	3.7V @ 1.9mA
Temperatura	150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs	65mOhm @ 19.4A, 10V
Dissipazione di potenza (Max)	50W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore	TO-220SIS
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs	110nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss)	600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max)	4100pF @ 300V
Corrente - Scarico continuo (Id)	38.8A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V