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TK20N60W,S1VF

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Scheda tecnica: TK20N60W,S1VF
Descrizione: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DTMOSIV
Tipo FET N-Channel
Imballaggio Tube
Vgs (Max) ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET -
Stato della parte Active
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / Custodia TO-247-3
Vgs (th) (Max) : ID 3.7V @ 1mA
Temperatura 150°C (TJ)
Rds On (Max) - ID, Vgs 155mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (Max) 165W (Tc)
Pacchetto dispositivi fornitore TO-247
Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs 48nC @ 10V
Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) 600V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) 1680pF @ 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) 20A (Ta)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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