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SSM6J216FE,LF
| Produttori: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Scheda tecnica: | SSM6J216FE,LF |
| Descrizione: | MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6 |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | U-MOSVI |
| Tipo FET | P-Channel |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Caratteristica FET | - |
| Stato della parte | Active |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SOT-563, SOT-666 |
| Vgs (th) (Max) : ID | 1V @ 1mA |
| Temperatura | 150°C |
| Rds On (Max) - ID, Vgs | 32mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (Max) | 700mW (Ta) |
| Pacchetto dispositivi fornitore | ES6 |
| Carica del cancello (Qg) (Max) - Vgs | 12.7nC @ 4.5V |
| Scarico alla tensione della sorgente (Vdss) | 12V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) | 1040pF @ 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) | 4.8A (Ta) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
In magazzino 7352 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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