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RN2909FE(TE85L,F)

Produttori: Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Scheda tecnica: RN2909FE(TE85L,F)
Descrizione: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Stato RoHS: Compatibile con RoHS
Attributo Valore attributo
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage
Categoria di prodotto Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Imballaggio Digi-Reel®
Stato della parte Active
Potenza - Max 100mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666
Tipo di transistor 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Base (R1) 47kOhms
Frequenza - Transizione 200MHz
Pacchetto dispositivi fornitore ES6
Resistor - Base emettitore (R2) 22kOhms
Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Collezionista (Ic) (Max) 100mA
Corrente - Taglio Collettore (Max) 100nA (ICBO)
DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) 50V

In magazzino 4000 pcs

Prezzo Refrence ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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