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RN2412TE85LF
| Produttori: | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|
| Categoria di prodotto: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Scheda tecnica: | RN2412TE85LF |
| Descrizione: | TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI |
| Stato RoHS: | Compatibile con RoHS |
| Attributo | Valore attributo |
|---|---|
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Categoria di prodotto | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | - |
| Imballaggio | Digi-Reel® |
| Stato della parte | Discontinued at Digi-Key |
| Potenza - Max | 200mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Tipo di transistor | PNP - Pre-Biased |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
| Frequenza - Transizione | 200MHz |
| Pacchetto dispositivi fornitore | S-Mini |
| Saturazione Vce (Max) - Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corrente - Collezionista (Ic) (Max) | 100mA |
| Corrente - Taglio Collettore (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Guadagno Corrente (hFE) (Min) - Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Tensione - Rottura dell'emettitore collettore (Max) | 50V |
In magazzino 0 pcs
| Prezzo Refrence ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
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